首页> 外文OA文献 >In-situ NC-AFM measurements of high quality AlN(0001) layers grown at low growth rate on 4H-SiC(0001) and Si(111) substrates using ammonia molecular beam epitaxy

【2h】

In-situ NC-AFM measurements of high quality AlN(0001) layers grown at low growth rate on 4H-SiC(0001) and Si(111) substrates using ammonia molecular beam epitaxy

机译：使用氨分子束外延在4H-siC（0001）和si（111）衬底上以低生长速率生长的高质量alN（0001）层的原位NC-aFm测量

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Florian Chaumeton; Sébastien Gauthier; David Martrou;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2015
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. In-situ NC-AFM measurements of high quality AlN(0001) layers grown at low growth rate on 4H-SiC(0001) and Si(111) substrates using ammonia molecular beam epitaxy [J] . Florian Chaumeton, Sébastien Gauthier, David Martrou AIP Advances . 2015,第6期

机译：使用氨分子束外延法在4H-SiC（0001）和Si（111）衬底上以低生长速率生长的高质量AlN（0001）层的原位NC-AFM测量
2. On the polarity of GaN micro- and nanowires epitaxially grown on sapphire (0001) and Si(111) substrates by metal organic vapor phase epitaxy and ammonia-molecular beam epitaxy [J] . B. Alloing S. Vézian O. Tottereau P. Vennéguès E. Beraudo and J. Zuniga-Pérez Applied Physics Letteres . 2011,第1期

机译：金属有机气相外延和氨分子束外延在蓝宝石（0001）和Si（111）衬底上外延生长的GaN微细线和纳米线的极性
3. On the polarity of GaN micro- and nanowires epitaxially grown on sapphire (0001) and Si(111) substrates by metal organic vapor phase epitaxy and ammonia-molecular beam epitaxy [J] . B. Alloing, S. Vezian, O. Tottereau, Applied Physics Letters . 2011,第1期

机译：金属有机气相外延和氨分子束外延在蓝宝石（0001）和Si（111）衬底上外延生长的GaN微细线和纳米线的极性
4. Control of wurzite GaN layer polarity on initial stages of growth during ammonia molecular beam epitaxy on (0001) Al/sub 2/O/sub 3/ substrate [C] . Preobrazhenskii, V.V., Semyagin, Electron Devices and Materials, 2003. Proceedings. 4th Annual 2003 Siberian Russian Workshop on . 2003

机译：（0001）Al / sub 2 / O / sub 3 /衬底上氨分子束外延生长期间纤锌矿GaN层极性的控制
5. Probing the Properties of the Molecular Adlayers on Metal Substrates: Scanning Tunneling Microscopy Study of Amine Adsorption on Gold(111) and Graphene Nanoislands on Cobalt(0001). [D] . Zhou, Hui. 2011

机译：探索金属基底上分子吸附剂的性能：扫描隧道显微镜研究胺在金（111）和石墨烯纳米岛上吸附的钴（0001）。
6. AlN Nanowall Structures Grown on Si (111) Substrate by Molecular Beam Epitaxy [O] . Yosuke Tamura, Kazuhiro Hane 2015

机译：通过分子束外延生长在Si（111）衬底上的AlN纳米壁结构
7. High-quality nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (11(2)over-bar20) substrate by molecular-beam epitaxy [O] . Horita M, Suda J, Kimoto T 2006

机译：通过分子束外延在4H-SiC（11（2）over-bar20）衬底上生长的高质量非极性4H-AlN

In-situ NC-AFM measurements of high quality AlN(0001) layers grown at low growth rate on 4H-SiC(0001) and Si(111) substrates using ammonia molecular beam epitaxy

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅